集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −350V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −300V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 15MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 30~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -750mV/-0.75V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | PNP high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 200 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 | PNP高压晶体管 特点 •低电流（最大200毫安） •高电压（最大300 V）。 应用 •通用开关和放大。 |