集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 500MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 40~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | NPN switching transistor FEATURES Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 12 V). APPLICATIONS High speed saturated switching applications, especially in portable equipment. |
| 描述与应用 | NPN开关晶体管 特点 低电流（最大100 mA） 低电压（最大12 V）。 应用 饱和高速开关应用中，特别是在便携式设备。 |