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  • Model：CF739
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：HS
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		10V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		-6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		6mA-60mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		-2.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		240mW/0.24W
Description & ApplicationsGaAs FET. Features . N-channel dual-gate GaAs MES FET . Depletion mode transistor for tuned small- signal applications up to 2 GHz, e. g. VHF, UHF, Sat-TV tuners . Low noise . High gain . Low input capacitance
描述与应用砷化镓场效应管. 特点: N沟道双栅的GaAs MES 场效应管. 耗尽型晶体管调谐小信号应用. 低噪音, 高增益 ,低输入电容.

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
CF739
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