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Inventory:2000 Min Order：100
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Parameters：

  • Model：ECH8601
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：KC
  • Package：ECH8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		35mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.5~1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.4W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Suitable for lithim-ion battery use. • Drain common specification. • 2.5V drive.
描述与应用N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 •低导通电阻。 •适合为lithim离子电池使用。 •漏共同的规范。 •2.5V驱动。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ECH8601
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