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  • Model：FDG6316P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB 06+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：16
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-700mA/0.7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		650mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -0.4A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4~-1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8V Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage Power Trench process. It has been optimized for battery power management applications. Applications • Battery management • Load switch Features • Low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • Compact industry standard SC70-6 surface mount package
描述与应用P沟道1.8V额定功率沟道MOSFET 概述 此P沟道MOSFET的1.8V指定使用飞兆半导体先进的低电压功率沟槽过程。它已被优化的电池电源管理应用。 应用 •电池管理 •负荷开关 特点 •低栅极电荷 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDG6316P
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