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  • Model：FDN327N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：327
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.07Ω/Ohm @2A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsN-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications Features ·2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 mW @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 80 mW @ VGS = 2.5 V RDS(ON) = 120 mW @ VGS = 1.8 V Low gate charge (4.5 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
描述与应用N沟道1.8 VGS指定的PowerTrench MOSFET 概述 此20V N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高 电压的PowerTrench过程。它已被优化为 电源管理应用。 低栅极电荷（4.5 nC型） 开关速度快 高性能沟道技术极 低RDS（ON）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDN327N
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