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  • Model：FDV305N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：305
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current900mA/0.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.22Ω/Ohm 900mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation350mW/0.35W
Description & Applications20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. • Low gate charge • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
描述与应用20V N-沟道PowerTrench MOSFET 概述 此20V N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高 电压的PowerTrench过程。它已被优化为 电源管理应用。 •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极低B 的RDS（ON）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDV305N
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