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Inventory:600 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：HN7G03FU-B
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：8B
  • Package：SOT-363/US6/SC-88

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		MOSFET N-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		10V
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		100mA/0.1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		4Ω@ VGS = 2.5V, ID =10mA
耗散功率Pd
Power Dissipation		50ms@VDS=3V，Id=10mA
Description & Applications
描述与应用0.7V~1.3V

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HN7G03FU-B
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