Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：IRF5810TR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：5 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：k6
  • Package：SOT-163/SOT23-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.9A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		135mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -2.3A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45~-1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		960mW/0.96W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用超低导通电阻 双P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
IRF5810TR
*Title：
Message：
*Code：