| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-15V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-1.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
430MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
200~560 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
1000mW |
| Description & Applications |
Features • PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors • Adoption of MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm). • High allowable power dissipation. Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. • DC / DC Converter Applications |
| 描述与应用 |
特点 •PNP/ NPN平面外延硅晶体管 •通过MBIT进程。 •高电流容量。 •低集电极 - 发射极饱和电压。 •高速开关。 •超小封装，有利于小型化的高端产品（安装高度：0.85毫米）。 •高允许功耗。 应用 •继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 •DC / DC转换器应用 |