| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 2.8A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.085Ω/Ohm @3.6A,4.5v |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.0V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.25W |
| Description & Applications | Power MOSFET 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. • Pb−Free Packages are Available • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • IDSS Specified at Elevated Temperature |
| 描述与应用 | 功率MOSFET 2.8安培，20伏，N沟道SOT-23 这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（ON）保证 最小的功率损耗，节约能源，使这些设备的理想选择 使用空间敏感的电源管理电路。 •无铅包可用 •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •IDSS指定高温 |