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Inventory:485 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：MJD112T4
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：MJD112
  • Package：TO-252/DPAK

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		100V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		2A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		25MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		500~2000
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		2V~3V
耗散功率Pc
Power Dissipation
Description & ApplicationsComplementary power Darlington transistors Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
描述与应用Complementary power Darlington transistors HFE线性度好 ■高FT  频率 ■单片达林顿配置 综合反平行集电极 - 发射极二极管

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MJD112T4
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