集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 300V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 300V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 50Mhz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 25 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 350mW/0.35W |
| Description & Applications | FEATURES • NPN high-voltage transistor • Low current (max. 100 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • Telephony • Professional communication equipment. |
| 描述与应用 | 特点 •NPN高压晶体管 •低电流（最大100 mA） •高电压（最大300 V）。 应用 •电话 •专业通信设备。 |