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Inventory:758 Min Order：10
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  • Model：P0110002P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：02P
  • Package：SOT-89

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		8V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		300mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.7W
Description & Applications250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type) Up to 2.7 GHz frequency band Beyond +22 dBm output power Up to +41dBm Output IP3 High Drain Efficiency SOT-89 SMT Package (Pb-free) Low Noise Figure Wireless communication system Cellular, PCS, PHS, W-CDMA, WLAN
描述与应用250MW砷化镓功率场效应管（无铅型） 高达2.7 GHz频段 超越+22 dBm的输出功率 高达+41 dBm输出IP3 漏极效率高 SOT-89贴片封装（无铅） 低噪声图 无线通信系统

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
P0110002P
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