Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：PHD101NQ03LT
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：101NQ
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current75A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance4.5Ω/Ohm @25A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-2.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation166W
Description & ApplicationsN-channel TrenchMOS™ logic level FET
描述与应用N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PHD101NQ03LT
*Title：
Message：
*Code：