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  • Model：PMBFJ176
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0622+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：W6S
  • Package：SOT-23/SC59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30 V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		30 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		－2.0~－35.0mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		1.0~4.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsPMBFJ176 P-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Silicon symmetrical p-channel junction FETs in plastic microminiature SOT23 envelopes. They are intended for application with analogue switches, choppers, commutators etc. using SMD technology. A special feature is the interchangeability of the drain and source connections.
描述与应用PMBFJ176 P-沟道硅场效应晶体管 说明 硅对称p沟道结场效应晶体管的塑料超小型SOT23封装。他们的目的是为应用模拟开关，换向器等采用SMD技术。比较特别的是漏极和源极连接的互换性。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMBFJ176
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