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Inventory:1800 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：PMV117EN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07NOPB 07+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WM1
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation830mW/0.83W
Description & ApplicationsµTrenchMOS™ enhanced logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology Logic level threshold Very fast switching Low threshold voltage Surface-mounted package
描述与应用μTrenchMOS™增强逻辑电平FET 一般说明 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）在一个塑料 包装使用TrenchMOS™技术 逻辑电平阈值 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMV117EN
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