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Inventory:350 Min Order：10
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  • Model：RJU003N03
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05NOPB 06+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LP
  • Package：SOT-323/SC-70/UMT3

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1.1Ω/Ohm @300mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & Applications2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Low voltage drive (2.5V drive).
描述与应用2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动（2.5V驱动器）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RJU003N03
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