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Inventory:3000 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：SI1902DL-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PAB
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		660mA/0.66A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		630mΩ@ VGS =2.5V, ID =400mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		270mW/0.27W
Description & ApplicationsDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Trench FET Power MOSFET
描述与应用双N沟道20-V（D-S）的MOSFET 特点  •沟槽FET功率MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1902DL-T1-E3
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