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Inventory:3100 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI2306DS
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 06+2500pcsrohs
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：A6
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.057Ω/Ohm @3.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested
描述与应用N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET 100％的Rg测试

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2306DS
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