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Inventory:450 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI4953DY
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：4953
  • Package：SO8/SOIC8/SOP8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4.9A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		95mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -3.6A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsDual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET FEATURES 100% Rg Tested
描述与应用双P沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点 100％的Rg测试

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI4953DY
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