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Inventory:400 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：SI5475DC
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：8FX
  • Package：1206-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-7.6A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		27mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -5.5A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2.5W
Description & ApplicationsP-Channel 12-V (D-S) MOSFET TrenchFET 功率MOSFET
描述与应用P沟道12-V（D-S）的MOSFET 特点 *TrenchFET 功率MOSFET *低导通电阻 应用 *用于便携式设备的电池和负载开关

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI5475DC
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