集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 45V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 150 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 250mV/0.25V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | Features • General Purpose Transistors NPN Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V ESD Rating – Machine Model: >400 V • Pb-Free Packages are Available |
| 描述与应用 | 特点 •通用晶体管NPN硅 •湿度敏感度等级：1 •ESD额定值 - 人体模型：>4000 V ESD额定值 - 机器型号：> 400 V •无铅包可用 |