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Inventory:10385 Min Order：100
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  • Model：SSM3K03TE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0621+ 05+NOPB
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：DA
  • Package：SOT-523/ESM

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance4Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.7-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • 2.5 V gate drive • High input impedance • Low gate threshold voltage: Vth = 0.7~1.3 V • Small package
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 高速开关应用 模拟开关应用 •2.5 V门极驱动 •高输入阻抗 •低栅极阈值电压VTH =0.7〜1.3 V •小型封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM3K03TE
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