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Inventory:5120 Min Order：10
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  • Model：SSM6N05FU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DF
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		400mA/0.4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		800mΩ@ VGS = 4V, ID = 200mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications ●Small package ●Low on resistance : Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) Ron = 1.2 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) ●Low gate threshold voltage
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =0.8Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RON=1.2Ω（最大）（@ VGS= 2.5 V） ●低栅极阈值电压

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6N05FU
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