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Inventory:53000 Min Order：10
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  • Model：TBB1002BMTL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BM
  • Package：SOT-363

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 6V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  
最大漏极电流Id
Drain Current		 30MA
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		  
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  
耗散功率Pd
Power Dissipation		 250MW/0.25W
Description & Applications * Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier. * Small SMD package CMPAK-6 built in twin BBFET; To reduce using parts cost & PC board space. * Suitable for World Standard Tuner RF amplifier. * Very useful for total tuner cost reduction. * Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 V at C = 200 pF, Rs = 0 conditions. * Provide mini mold packages; CMPAK-6.
描述与应用 * 双内置偏置电路MOS FET的集成电路VHF/ UHF射频放大器。 * 小SMD封装CMPAK-6内置双BBFET;要降低零部件的成本与PC板空间。 * 适用于世界标准调谐器RF放大器。 * 总的调谐器成本降低非常有用的。 * 耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200 V C = 200 PF，RS=0条件。 * 提供小型模具包; CMPAK-6。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TBB1002BMTL
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