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Inventory:1800 Min Order：100
Parameters
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Parameters：

  • Model：UPA862TD
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：10000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：Y
  • Package：SOT-763

V(BR) CBO

Collector-Base Voltage

  Q1/Q2=9V / 9V

V(BR) CEO

Collector-Emitter Voltage

  Q1/Q2=6V / 5.5V
Collector Current(IC)  Q1/Q2=30MA / 100MA
Transtion Frequency(fT)  Q1/Q2=12GHZ / 6.5GHZ
DC Current Gain(hFE)  Q1/Q2=75~150 / 100~145

VCE (sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

  
Power Dissipation （Pd）  210MW
Description & Applications  NPN SILICON RF TRANSISTOR 
LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION
 TWO DIFFERENT DIE TYPES:
Q1 - Ideal buffer amplifier transistor
Q2 - Ideal oscillator transistor
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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
UPA862TD
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