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  • Model：US6K1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+NOPB 10+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K01
  • Package：SOT-363/SC70-6/UMT6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		1.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		240mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 1500mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.5~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1W
Description & Applications2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Structure Silicon N-channel MOS FET Features 1) LowOn-resistance. 2) Space saving small surfacemount package (TUMT6). 3) Lowvoltage drive (2.5V drive). Applications Switching
描述与应用2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET 结构 硅N沟道MOS FET 特点 1）耐LowOn-。 2）节省空间的小型的表面贴装封装（TUMT6）。 3）低电压驱动（2.5V驱动器）。 应用  交换

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
US6K1
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