最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | 30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage | 12V |
最大漏极电流Id
Drain Current | 1.5A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance | 240mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 1500mA |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage | 0.5~1.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Structure Silicon N-channel MOS FET Features 1) LowOn-resistance. 2) Space saving small surfacemount package (TUMT6). 3) Lowvoltage drive (2.5V drive). Applications Switching |
| 描述与应用 | 2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET 结构 硅N沟道MOS FET 特点 1）耐LowOn-。 2）节省空间的小型的表面贴装封装（TUMT6）。 3）低电压驱动（2.5V驱动器）。 应用 交换 |