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  • Model：XN4601
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06nopb 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：5C
  • Package：SOT-163/SC-74

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2=60V/-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2=50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2=100mA/-100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2=150MHz/80MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2=160~460/160~460
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Q1/Q2=100mV/-300mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features • Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1) Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2) • Two elements incorporated into one package. • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half. Applications • For general amplification 2SD601A+2SB709A
描述与应用 特点 •NPN硅外延的刨床晶体管（TR1）硅PNP外延刨床晶体管的（TR2） •两个要素纳入一包装。 •减少安装面积和汇编一半的费用。 应用 •对于一般的放大 2SD601A+2SB709A

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
XN4601
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