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  • Model：ZVNL110GTA
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZVNL110
  • Package：SOT-223/SC-73/TO261-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current600mA/0.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.0Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.75-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES LOW RDS(ON) - 3Ω PARTMARKING DETAIL - ZVNL110
描述与应用N沟道增强 模式垂直DMOS FET 低RDS（ON） - 3Ω PARTMARKING详细信息 ZVNL110“

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ZVNL110GTA
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