集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 75V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 600mA/0.6A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 300MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 40 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3V~1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | NPN switching transistor FEATURES • High current (max. 600 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • High-speed switching and linear amplification. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT323 plastic package. |
| 描述与应用 | NPN开关晶体管 特点 •高电流（最大600毫安） •低电压（最大40 V）。 应用 高速开关和线性放大。 说明 NPN开关晶体管在SOT323塑料包装。 |