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Inventory:18000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI5855DC
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05 06+9KMROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：jb
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		P沟道 P-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-8V
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		-2.7A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		110mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-2.7A
耗散功率Pd
Power Dissipation		-0.45~-1.0V
Description & Applications肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
描述与应用20V

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI5855DC
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