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Inventory:1000 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：2SK848-TD
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05 01+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KA
  • Package：SOT-89/SC-62/PCP

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance6Ω/Ohm @250mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1.5W
Description & ApplicationsVery speed switching application Features Silicon N-Channel POWER MOS FET Very high-speed switching applications Low on resistance,very high-speed switching
描述与应用非常高速开关应用 特性 硅N沟道功率MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻，非常高的速度开关

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK848-TD
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