集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 250MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 30 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -100mV/-0.1V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | silicon PNP epitaxial type high voltage and high current； Applications · Swicthing circuits, inverter circuits, interface circuits,driver circuits. Features · On-chip bias resistance : R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ. |
| 描述与应用 | 硅PNP外延型 高电压和高电流; 应用 ·Swicthing电路，逆变器电路，接口电路，驱动器电路。 特点 ·片上偏置电阻：R1=4.7kΩ上，R2=4.7kΩ的。 |