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  • Model：2SC6026MFV-GR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：1136+ROHS
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：HG
  • Package：S0T-723/VESM

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		150mA/0.15A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		60MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		200~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		100mV/0.1V
耗散功率Pc
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTransistor Silicon NPN Epitaxial Type General-Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE : hFE = 120~400
描述与应用晶体管的硅NPN外延型 通用放大器应用 •高电压和高电流 VCEO=50 V，IC=150 mA（最大） •优秀的HFE线性：             HFE（IC= 0.1毫安）/ HFE（IC= 2毫安）= 0.95 •高HFE：HFE=120〜400

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SC6026MFV-GR
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