集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -1.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 300MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 140~280 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | PNP epitaxial planar silicon transistor High-speed switching application adoption of FBET process； low collector-to-emitter saturation voltage； fast switching speed； large current capacity |
| 描述与应用 | PNP外延平面硅晶体管 高速开关应用 采纳的FBET过程; 低集电极 - 发射极饱和电压; 开关速度快; 大电流容量 |