集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 75V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 600mA/0.6A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 300Mhz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 30~300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3V~1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | FEATURES • NPN switching transistor • High current (max. 600 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear amplification. |
| 描述与应用 | 特点 •NPN开关晶体管 •高电流（最大600毫安） •低电压（最大40 V）。 应用 •开关和线性放大 |