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Inventory:11100 Min Order：10
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  • Model：2N7002DW-7-F
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：08NOPB 06+NOPB3200
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K72
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		115mA/0.115A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		3.2Ω@ VGS = 5.0V, ID = 0.05A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1~2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small-Signal-Transistor Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package
描述与应用双N沟道增强型场效应晶体管 小信号晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快吗 低输入/输出漏 超小型表面贴装封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N7002DW-7-F
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