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Inventory:9000 Min Order：10
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  • Model：SI5480DU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ADH
  • Package：1206-8

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance13mΩ@ VGS = 10V, ID = 7.2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1V~3V
耗散功率Pd Power Dissipation3.1W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® ChipFET® Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance - Thin 0.8 mm Profile APPLICATIONS • Load Switch, PA Switch, and Battery Switch for Portable Applications • DC-DC Synchronous Rectification
描述与应用N沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点  •TrenchFET功率MOSFET - 小占位面积 - 低导通电阻 应用  •负荷开关，PA开关，电池开关用于便携式应用  •DC-DC同步整流

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI5480DU
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