集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 50 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 250mV/0.25V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Primarily intended for telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. |
| 描述与应用 | 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大80 V）。 应用 •主要用于电话和专业 通信设备。 说明 NPN晶体管在SOT323塑料包装。 |