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  • Model：SI2314EDS
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：c4Z6A
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current4.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.033Ω/Ohm @5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.45V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsN-Channel 20-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET ESD Protected: 3000 V
描述与应用N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 功率MOSFET ESD保护：3000 V

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2314EDS
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