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Inventory:147000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI1905BDH-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 10NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DJX
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-8V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-630mA/-0.63A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		1.2Ω@ VGS = -1.8V, ID = -200mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45~-1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		357mW/0.375W
Description & ApplicationsDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES • Trench FET Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch for Portable Devices
描述与应用双P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET 特点  •沟槽FET功率MOSFET 应用  •用于便携式设备的负载开关

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1905BDH-T1-E3
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