最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±12V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-3.3A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
140 mΩ @ VGS = -1.8V |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4V~-0.9V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.4W |
| Description & Applications |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. * Battery Charging . * Power Management Functions . * DC-DC Converters . * Portable Power Adaptors. * Low On-Resistance . 75 mΩ @ VGS = -4.5V , 96 mΩ @ VGS = -2.5V , 140 mΩ @ VGS = -1.8V . * Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V . * Low Input Capacitance . * Fast Switching Speed . * Low Input/Output Leakage. |
| 描述与应用 |
P-沟道增强型MOSFET。 *电池充电。 *电源管理功能。 * DC-DC转换器。 *便携式电源适配器。 *低导通电阻。 75MΩ@ VGS=-4.5V，96MΩ@ VGS=-2.5V，140MΩ@ VGS=-1.8V。 *非常低的栅极阈值电压VGS（TH）≤1V。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。 |