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Inventory:188935 Min Order：10
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  • Model：DMP2160U-7
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DMF
  • Package：SOT-23

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 -20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		 ±12V
最大漏极电流Id
Drain Current		 -3.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		 140 mΩ @ VGS = -1.8V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		 -0.4V~-0.9V
耗散功率Pd
Power Dissipation		 1.4W
Description & Applications P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. * Battery Charging . * Power Management Functions . * DC-DC Converters . * Portable Power Adaptors. * Low On-Resistance . 75 mΩ @ VGS = -4.5V , 96 mΩ @ VGS = -2.5V , 140 mΩ @ VGS = -1.8V . * Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V . * Low Input Capacitance . * Fast Switching Speed . * Low Input/Output Leakage.
描述与应用 P-沟道增强型MOSFET。 *电池充电。 *电源管理功能。 * DC-DC转换器。 *便携式电源适配器。 *低导通电阻。 75MΩ@ VGS=-4.5V，96MΩ@ VGS=-2.5V，140MΩ@ VGS=-1.8V。 *非常低的栅极阈值电压VGS（TH）≤1V。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
DMP2160U-7
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