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Inventory:3000 Min Order：10
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  • Model：BC858BWT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：3K
  • Package：SOT-323/SC-70

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		−30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−30V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−100mA/-0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		100MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		220~475
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−650mV/-0.65V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsGeneral purpose transistors PNP silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications.
描述与应用通用晶体管PNP硅 这些晶体管是专为通用放大器应用。他们被安置在SOT-323/SC-70这是专为低功率表面贴装应用。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BC858BWT1
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