Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：DMN2400UV-7
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：24N
  • Package：SOT-563

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		 ±12 V
最大漏极电流Id
Drain Current		 1.33A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		 0.65Ω~1.5Ω VGS = 1.5V, ID = 50mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		 0.5v~0.9v
耗散功率Pd
Power Dissipation		 530mw/0.53W
Description & Applications DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. * Low On-Resistance. * Low Gate Threshold Voltage. * Low Input Capacitance. * Fast Switching Speed . * Low Input/Output Leakage . * ESD Protected up to 2kV.
描述与应用 双N沟道增强型MOSFET。 *低导通电阻。 *低栅极阈值电压。 *低输入电容。 *开关速度快。 *低输入/输出漏。 *高达2kV的ESD保护。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
DMN2400UV-7
*Title：
Message：
*Code：