最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | 30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage | 20V |
最大漏极电流Id
Drain Current | 4A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance | 46mΩ@ VGS = 10V, ID = 4000mA |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage | 1.3~2.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | MOSFETs Silicon N-Channel MOS •Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) 4.5V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) |
| 描述与应用 | MOSFET的硅N沟道MOS •应用程序 •电源管理开关 •DC-DC转换器 2。特点 （1）4.5V栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻 RDS（ON）= 46MΩ（最大）（@ VGS=10 V） RDS（ON）=64毫欧（最大值）（@ VGS=4.5 V） |