集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
8Ghz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40~90 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
700mW/0.7W |
| Description & Applications |
NPN 8 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN planar epitaxial transistor in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. The device features a high gain and excellent output voltage capabilities. |
| 描述与应用 |
NPN8 GHz的宽带晶体管 说明 NPN平面外延晶体管的 塑料SOT223信封，意 宽带放大器应用。 该器件具有高增益和 出色的输出电压能力。 |