集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
900V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
800V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
10 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.0V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process). High Voltage Switching Applications. Switching Regulator Applications. DC-DC Converter Applications. * Excellent switching times: tf = 0.5 μs (max) (IC = 1.2 A). * High collectors breakdown voltage: VCEO = 800 V. * High DC current gain: hFE = 15 (min) (IC = 0.15 A). |
| 描述与应用 |
TOSHIBA晶体管的硅NPN三重扩散类型（PCT程序）。 高电压开关应用。 开关稳压器应用。 DC-DC转换器应用。 *出色的开关时间：TF=0.5μs（最大）（IC=1.2 A）。 *收藏家高击穿电压：VCEO=800V。 *高直流电流增益：HFE= 15（min）（IC= 0.15）。 |