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  • Model：2SC5356
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：09+ROHS
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：C5356
  • Package：TO-252

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 900V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 800V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 10
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 1.0V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 1.5W
Description & Applications TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process). High Voltage Switching Applications. Switching Regulator Applications. DC-DC Converter Applications. * Excellent switching times: tf = 0.5 μs (max) (IC = 1.2 A). * High collectors breakdown voltage: VCEO = 800 V. * High DC current gain: hFE = 15 (min) (IC = 0.15 A).
描述与应用 TOSHIBA晶体管的硅NPN三重扩散类型（PCT程序）。 高电压开关应用。 开关稳压器应用。 DC-DC转换器应用。 *出色的开关时间：TF=0.5μs（最大）（IC=1.2 A）。 *收藏家高击穿电压：VCEO=800V。 *高直流电流增益：HFE= 15（min）（IC= 0.15）。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SC5356
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