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  • Model：SIA411DJ
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 10NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BEW
  • Package：SC70-6L(QFN)

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 -20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		 8V
最大漏极电流Id
Drain Current		 -12A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		 25mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -5.9A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		 -0.4V~-1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		 3.5W
Description & Applications P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance APPLICATIONS • Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable Devices
描述与应用 P沟道20-V（D-S）的MOSFET 特点  •TrenchFET®功率MOSFET  •新型的热增强型PowerPAK®SC-70封装 - 小占位面积 - 低导通电阻 应用  •负载开关，PA开关，用于便携式设备的开关和电池开关

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SIA411DJ
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