集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
1000~2000 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. Switching Applications . Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications. Power Amplifier Applications. High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) . Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 2 A) . Complementary to 2SB907. |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。 切换应用程序。 锤驱动器，脉冲电机驱动应用。 功率放大器应用。 高直流电流增益：HFE=2000（分钟）（VCE= 2 V，IC= 1 A）。 低饱和电压VCE（sat）=1.5 V（最大值）（IC= 2）。 2SB907互补。 |